北京節慶燈串照明北京燈串燈飾夜景照明
10元2024-04-02 09:18:06
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LED光源的LED是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化鎵）、GaP（磷化鎵）、GaAsP（磷砷化鎵）等半導體制成的，其核心是PN結。因此它具有一般P-N結的I-V特性，即正向導通，反向截止、擊穿特性。此外，在一定條件下，它還具有發光特性。在正向電壓下，電子由N區注入P區，空穴由P區注入N區。進入對方區域的少數載流子（少子）一部分與多數載流子（多子）復合而發光。
假設發光是在P區中發生的，那么注入的電子與價帶空穴直接復合而發光，或者先被發光中心捕獲后，再與空穴復合發光。除了這種發光復合外，還有些電子被非發光中心（這個中心介于導帶、介帶中間附近）捕獲，而后再與空穴復合，每次釋放的能量不大，不能形成可見光。發光的復合量相對于非發光復合量的比例越大，光量子效率越高。由于復合是在少子擴散區內發光的，所以光僅在靠近PN結面數μm以內產生。
理論和實踐證明，光的峰值波長λ與發光區域的半導體材料帶隙Eg有關，即 λ≈1240/Eg（mm）
式中Eg的單位為電子伏特（eV）。若能產生可見光（波長在380nm紫光～780nm紅光），半導體材料的Eg應在3.26～1.63eV之間。比紅光波長長的光為紅外光。已有紅外、紅、黃、綠及藍光發光二極管，但其中藍光二極管成本、價格很高，使用不普遍。
如今有些供貨商為了處理這個難題，創造了無鋁電解電容的LED驅動電源計劃。但并不是所有的LED驅動電源供貨商都擁護這種做法。陳嶸指出：“當前量產的LED驅動電源中沒有一款是選用了無電解電容的驅動計劃，由于沒有它的話，許多試驗規范通不過，如EMI測驗和無閃爍測驗。”
而選用鋁電解電容的LED驅動電源計劃很簡單通常以上測驗， pcb抄板若是換成薄膜電容和陶瓷電容或鉭電容，情況如何呢？薄膜電容要到達一樣的電容量（通常為100-220uF），體積就會很大，并且本錢也太高，陶瓷電容通常容量太小，如用多個陶瓷電容完成這么大的容量，占板面積和本錢都太大，鉭電容要具有這么大容量，一是太貴，而是耐壓太低達不到需求，因而換成其它任何品種的電容，基本上不是體積太大，就是太貴，如為了這些缺陷換成容量較小的電容，消除紋波的作用就沒有那么好，許多出口產品所需的嚴厲認證測驗目標就無法經過，因而當前高質量的LED驅動電源仍是遍及選用鋁電解電容。
響應速度快：LED的響應頻率fτ與注入少數載流子的壽命τmc有關，如GaAs材料制成的LED，其τmc一般在1―10ns 范圍內，則響應頻率約為16―160MHz，這樣高的響應頻率對于顯示6.5MHz的視頻信號來說已經足夠了，這也是實現視頻 LED大屏幕的關鍵因素之一。
LED響應時間最低的已達1微秒，一般的多為幾個毫秒，約為普通光源響應時間的1/100。因此可用于很多高頻環境，如汽車剎車燈或狀態燈，可以縮短車后車輛的剎車時間，從而提高安全性。
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